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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
50
左右 -67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
30
读取速度,GB/s
15.3
14.9
写入速度,GB/s
10.9
14.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3332
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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