RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2440
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link