RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2440
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link