RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3084
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link