RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
46
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link