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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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