RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link