RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3264
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link