RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2494
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link