RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2494
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link