RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2434
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link