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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
38
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
38
読み出し速度、GB/s
12.9
13.6
書き込み速度、GB/秒
9.0
9.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
2434
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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