RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3594
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link