RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3594
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link