RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2696
3158
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link