RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3428
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link