RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
58
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3587
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link