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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3587
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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