Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Inmos + 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 58
    Rund um -93% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 2,107.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    16800 left arrow 6400
    Rund um 2.63 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,025.3 left arrow 11.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,107.0 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    670 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche