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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
58
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,107.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
6400
Intorno 2.63 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
30
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
16800
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2318
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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