Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Punteggio complessivo
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 11.5
    Valore medio nei test
Inmos + 256MB Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 58
    Intorno -93% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 2,107.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    16800 left arrow 6400
    Intorno 2.63 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    58 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,025.3 left arrow 11.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,107.0 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    670 left arrow 2318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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