RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
58
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2247
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link