RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
58
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2142
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link