Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Gesamtnote
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,107.0 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 58
    Rund um -29% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    58 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,025.3 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,107.0 left arrow 12.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    670 left arrow 2925
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RAM 1
RAM 2

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