RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
58
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2925
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link