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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
58
Por volta de -29% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2925
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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