RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
58
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.3
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
5.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
1740
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link