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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB 需要考虑的原因
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 58
    左右 -87% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    5.3 left arrow 2,107.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 5.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 1740

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