RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
18.7
写入速度,GB/s
12.0
16.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3937
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link