RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3937
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link