RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
6.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2317
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link