RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2846
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link