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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
58
En -93% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2846
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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