RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2502
2812
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link