RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
58
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2336
2096
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link