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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
58
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
58
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.2
9.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2336
2096
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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