RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3205
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link