RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2148
2698
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link