RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Comparar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2148
2698
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link