RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
38
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2664
2148
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link