RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2664
2148
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link