RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2812
2660
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link