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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
11.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
46
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.9
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2812
2660
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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