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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
51
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2570
2974
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
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