RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2570
2974
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link