Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    50 left arrow 51
    Rund um -2% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    51 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2570 left arrow 2512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche