RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
51
Intorno -2% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
50
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2570
2512
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link