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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2581
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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