RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2806
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link