RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2806
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link