RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
69
Rund um -1% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
1904
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link