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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
68
69
左右 -1% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
68
读取速度,GB/s
3,325.1
15.0
写入速度,GB/s
1,441.2
8.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1904
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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