RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
73
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1700
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link